Программа вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки




Скачать 171.78 Kb.
НазваниеПрограмма вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки
Дата24.10.2012
Размер171.78 Kb.
ТипПрограмма


ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО испытания в 2012 году

по направлению подготовки

152200.68 Наноинженерия

магистерская программа

152200.01 «Нанотехнологии и наноматериалы»


Общие положения


Формы и условия проведения вступительных испытаний определяются Ученым советом высшего учебного заведения и доводятся до сведения бакалавров не позднее чем за полгода до начала вступительного экзамена. Бакалавры обеспечиваются программами экзаменов, им создаются необходимые для подготовки условия, проводятся консультации.

Результаты вступительных испытаний определяются оценками «отлично», «хорошо», «удовлетворительно», «неудовлетворительно».

По результатам вступительных испытаний экзаменационная комиссия принимает решение о зачислении в магистратуру.

Программа вступительного экзамена включает ключевые теоретически и практически значимые вопросы по дисциплинам, входящим в цикл дисциплин ГОС по направлению 210600.62 – «Нанотехнология».


Определение содержания вступительных испытаний


Вступительный экзамен должен определять уровень усвоения бакалавром материала, предусмотренного учебной программой и охватывать все минимальное содержание данной дисциплины, установленное соответствующим государственным образовательным стандартом.

В процессе экзамена, поступающие должны показать свою подготовленность к продолжению образования в магистратуре.

При ответе на вступительном испытании по билету поступающий должен продемонстрировать:

  • ясную логику изложения материала;

  • умение анализировать, синтезировать, систематизировать, сравнивать и обобщать изученный материал;

  • видение возможностей использования полученных знаний и навыков в практике современного производства.

Ответ бакалавра должен подтвердить достаточно полное знание современного состояния машин и оборудования различного назначения, методов их проектирования, производства, реновации и утилизации.


Требования, проверяемые в ходе вступительного испытания


Бакалавр должен подтвердить умение решать задачи, соответствующие его степени (квалификации)

Бакалавр должен знать:

  • фундаментальные основы процессов синтеза, анализа и функционирования наноматериалов и компонентов наносистемной техники;

  • физико-математические и физико-химические модели процессов нанотехнологии и методов нанодиагностики;

  • основные системотехнические решения при создании наноматериалов и компонентов наносистемной техники, приборов, устройств, механизмов и машин на их основе;

  • типовые программные продукты, ориентированные на решение задач моделирования наноматериалов и компонентов наносистемной техники, управление процессами нанотехнологии, обработку результатов, полученных методами нанодиагностики;

  • базовые технологические процессы и оборудование, применяемые в производстве наноматериалов и компонентов наносистемной техники;

  • базовое контрольно-измерительное оборудование для метрологического обеспечения исследований и промышленного производства наноматериалов и компонентов наносистемной техники;

  • общие правила и методы наладки, настройки и эксплуатации технологического и контрольно-измерительного оборудования;

  • основные виды нормативно-технической документации в области технологии, стандартизации и сертификации наноматериалов и компонентов наносистемной техники;

  • эффективные направления применения наноматериалов, компонентов наносистемной техники, процессов нанотехнологии и методов нанодиагностики;

  • перспективы развития наноиндустрии, включая интеграцию со смежными областями научно-образовательной деятельности и промышленного производства.

Бакалавр должен уметь:

  • осуществлять постановку целей и задач работы при выполнении научных исследований и организации опытно-промышленного производства;

  • получать и обрабатывать необходимую для организации научных исследований и промышленного производства информацию, в том числе экономическую;

  • применять современные методы организации труда для обеспечения научных исследований и промышленного производства;

  • применять современные методы исследования для синтеза и анализа наноматериалов и компонентов наносистемной техники;

  • применять методы анализа и обработки экспериментальных данных, систематизации научно-технической информации;

  • применять справочный аппарат по выбору требуемых материалов, компонентов наносистемной техники, процессов нанотехнологий и методов нанодиагностики для решения конкретных задач;

  • применять программное обеспечение для решения типовых задач синтеза и анализа наноматериалов и компонентов наносистемной техники;

  • применять методы моделирования с целью эффективной оптимизации свойств наноматериалов, компонентов наносистемной техники, процессов нанотехнологий и методов нанодиагностики;

  • применять типовые подходы по обеспечению безопасности жизнедеятельности и экологической чистоты при проведении исследований и в условиях промышленного производства.


Перечень основных учебных дисциплин образовательной программы


Программа вступительных испытаний по направлению 152200.68 – «Наноинженерия» (магистерская программа 152200.01 – Нанотехнологии и наноматериалы) включает в себя ключевые и практически значимые вопросы по комплексу специальных дисциплин направления подготовки.

Вступительные испытания для поступления на основные образовательные программы магистратуры по направлению 152200.68 – «Наноинженерия» (магистерская программа 152200.01 – Нанотехнологии и наноматериалы) проводятся в форме устного ответа абитуриентом на вопросы, входящие в полученный на экзамене билет. Билет состоит из двух вопросов.

Ответы на вопросы кратко записываются (в письменном виде) на экзаменационном листе и освещаются в устном виде перед экзаменационной комиссией. В процессе ответа экзаменуемый может дополнить письменный (краткий) ответ устными пояснениями. В каждый билет входит один вопрос из первого раздела, один вопрос из второго.

Первый раздел представлен вопросами, ответ на которые сможет экзаменуемому продемонстрировать уровень владения фундаментальными теоретическим знаниями в области наукоемких технологий, в частности оборудования и технологий получения наноструктурированных материалов.

Второй раздел представлен вопросами, посвященным фундаментальным знаниям в области методов научно-технического творчества.

Кроме устных ответов экзаменуемый должен представить краткое эссе (не более одной страницы текста) на тему предполагаемых научных исследований в магистратуре.

Цель аналитического эссе – выявить готовность абитуриента синтезировать, конкретизировать и анализировать информацию, аргументировать свою позицию, излагать свои мысли грамотно.


Критерии оценки знаний


При оценке вступительного экзамена учитывается:

  • правильность и осознанность содержания ответа на вопросы, полнота раскрытия понятий и закономерностей, точность употребления и трактовки специальных технических терминов;

  • степень сформированности интеллектуальных и научных способностей экзаменуемого;

  • самостоятельность ответа;

  • речевая грамотность и логическая последовательность ответа.


Отметка «отлично» выставляется студенту, глубоко и прочно усвоившему программный материал, исчерпывающе, последовательно, грамотно и логически стройно его излагающему, в ответе которого увязывается теория с практикой, он показывает знакомство с монографической литературой, правильно обосновывает решение задачи.

Отметка «хорошо» выставляется студенту, твердо знающему программный материал, грамотно и по существу излагающему его, который не допускает существенных неточностей в ответе на вопрос, правильно применяет теоретические положения при решении практических вопросов и задач.

Отметка «удовлетворительно» выставляется студенту, который знает только основной материал, но не усвоил его деталей, допускает в ответе неточности, недостаточно правильно формулирует основные законы и правила, затрудняется в выполнении практических задач.

Отметка «неудовлетворительно» выставляется студенту, который не знает значительной части программного материала, допускает существенные ошибки, с затруднениями выполняет практические задания.


Содержание разделов, выносимых на экзамен дисциплин


ДН.Р.1. Оборудование и технология получения наноструктурированных материалов

СД.Ф.1. Наукоемкое оборудование

ДН.В.1.1. Методы научно-технического творчества

Эссе


Раздел I.

Дисциплина "ОБОРУДОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ"


Фуллерены. Строение и номенклатура; физические и термодинамические свойства; химическая свойства; методы получения; потенциальные области применения.

Углеродные нанотрубки. История открытия и этапы развития; строение простейших нанотрубок; морфологические формы; физические свойства.

Методы получения углеродных нанотрубок. Возгонка и десублимация графита: дуговой метод, лазерное испарение (абляция); диспропорционирование СО; пиролиз углеводородов; другие методы получения.

Оборудование для получения углеродных нанотрубок пиролизом углеводородов. Лабораторное оборудование; оборудование периодического действия с неподвижным слоем катализатора; оборудование с движущимся слоем катализатора.

Химия углеродных нанотрубок. Раскрытие и разрезание УНТ; функционализация; фторирование; солюбилизация; заполнение внутренних полостей; декорирование.

Области применения углеродных нанотрубок. Композиты; функциональные устройства; другие области применения.

Методы характеризации углеродных нанотрубок. Просвечивающая микроскопия; сканирующая электронная микроскопия; атомно-силовая микроскопия, спектроскопия комбинационного рассеивания.

Нанотрубки неорганических веществ. Нанотрубки нитрида бора, нанотрубки диоксида титана, другие формы нанотрубок неорганических веществ.


Дисциплина "НАУКОЕМКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ"


Наукоемкие технологии. История возникновения. Истоки высоких технологий. Нанотехнологии, изменения в информатике и необходимость новой промышленной революции.

Стратегия России в развитии высоких технологий. Развитие нанотехнологий – мощный ресурс развития экономики. Приоритеты финансирования нанотехнологических исследований. Возможности ускорения внедрения нанотехнологий.

Экономические и социальные следствия внедрения передовых технологий. Наноматериалы и методы их измерения, обработки и моделирования. Нанотехнологии, охрана окружающей среды и энергетика. Возможные применения нанотехнологий в авиастроении и космонавтике. Нанотехнологии и сельскохозяйственное производство. Социальные последствия внедрения нанотехнологий.

Вычислительная техника и наукоемкие технологии. История вычислительных средств. Молекулярная память. Нейронные сети и нейрокомпьютеры. Биодатчики и информационные терминалы. Квантовая информатика и квантовые вычисления. Управление квантовыми системами. Квантовые компьютеры и пути их возможных реализаций.

Наноструктуры и методы их описания. Полупроводниковые приборы и революция в электронике. Электронная микроскопия. Сканирующий электронный микроскоп. Р. Фейнман и его идея о создании новых систем методами “поштучной” атомной сборки. Э. Дрекслер – идея создания “молекулярных” машин. Сканирующий туннельный микроскоп и принцип его работы. Синтез фуллеренов. Углеродные нанотрубки. Квантовый эффект Холла. Оптические свойства квантово-размерных структур. Магнитные свойства нанослоевых композиций и фрактально-кластерных структур. Физика процессов переноса в неупорядоченных системах. Теория протекания. Кооперативно-синергетические процессы переноса энергии и зарядов в конденсированных средах. Методы лазерного охлаждения твердых тел. Перенос энергии и заряда в биоорганических наносистемах.

Методы измерения и контроля наноразмеров и контроля наноколичеств. Интерферометрия, эллипсометрия, растровая электронная микроскопия, сканирующая туннельная и атомно-силовая микроскопия, вторичная ионная масс-спектрометрия, Оже-спектроскопия, электронная спектроскопия для химического анализа, рентгено-спектральный микроанализ, электронный и ядерный парамагнитный резонанс, ИК-Фурье спкетроскопия, хроматография, электрофорез.

Методы исследования структуры. Рентгеноструктурный анализ, просвечивающая электронная микроскопия, электронография, дифракция быстрых и медленных электронов, малоугловая дифракция, обратное рассеяние Резерфорда.

Атомно-зондовые методы анализа поверхности. Контактные и бесконтактные методы, сверхлокальный контроль электрических и магнитных полей, измерение емкости и концентрации носителей заряда, адгезионных параметров.

Электрические методы контроля свойств наноструктур. Токовая и емкостная спектроскопия. Активная метрика процессов синтеза наноструктурированных материалов и нанослоевых композиций. Микро- и наноаналитические системы.

Газовая хроматография. Механизмы и кинетика процессов адсорбции. Принцип работы хроматографа. Конструкции хроматографов. Методика проведения хроматографических исследований.

Дериватография. Сущность дериватографических исследований. Конструкции дериватографов. Методика проведения дериватографических исследований.

Колориметрия. Сущность колориметрических исследований. Конструкции колориметров. Методика проведения колориметрических исследований.

Сорбтометрия. Хемосорбция. Методы измерения поверхности пор. Конструкции сорбтометров.

Интерферометрия. Интерференция электромагнитных волн. Принцип действия и конструкции интерферометров.

Методы организации высокотехнологических исследований. Как организовать научные исследования в сфере нанотехнологий? Выбор приоритетов. Нанотехнологические венчурные предприятия. Необходимые изменения в системе образования и подготовки научных кадров.

Методы планирования и выполнения экспериментальных работ. Основы организации научных исследований. Планирование эксперимента. Обработка экспериментальных данных. Постановка и решение обратных задач. Качественная и количественная оценка результатов экспериментальных исследований.

Основные принципы проектирования технологического оборудования. Классификация технологического оборудования. Структурная схема машины. Структурная схема аппарата. Общий порядок расчета машин. Алгоритм расчета аппаратов. Требования, предъявляемые к технологическому оборудованию. Нормативные документы, используемые при проектировании. Методы и приемы конструирования. Автоматизированное конструирование. САПР. Элементы основных стадий подготовки конструкторской документации.

Технологическое оборудование для производства углеродных наноматериалов. Емкостное оборудование. Особенности конструкции. Вопросы оптимального конструирование емкостных аппаратов. Алгоритм расчета емкостного аппарата. Мешалки. Процесс перемешивания и его характеристики. Конструкции мешалок. Расчет мешалок. Технологическое оборудование для активации процесса. Аппарат вихревого слоя. Устройство, принцип действия. Ультразвуковая установка. Устройство, принцип действия. Реактор для производства углеродных наноматериалов. Принцип действия основных механизмов. Оборудование для очистки газов. Фильтры.


Раздел II.

Дисциплина "МЕТОДЫ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОГО ТВОРЧЕСТВА"


Научные проблемы и противоречия в развитии машиностроительного производства. Противоречия между существующими концепциями машиностроительного производства и развитие новых материалов, сплавов, процессов. Научные исследования по определению главных закономерностей и оптимизации параметров технологических процессов.

Исследовательские испытания и планирование эксперимента. История планирования эксперимента. Общие представления о планировании экспериментов. Основные определения. Активный и пассивный эксперимент.

Классификация экспериментальных планов. Классификация экспериментальных планов. Научный и промышленный эксперимент. Планы дисперсионного анализа и отсеивающего эксперимента. Планы для изучения поверхности отклика и изучения механизма явлений.

Математическое планирование эксперимента. Полный факторный эксперимент. Постановка задачи выбор параметров и факторов. Определение экспериментальной области факторного пространства. Матрица планирования эксперимента и способы ее построения.

Виды параметров оптимизации и требования к ним. Планирование экспериментов для решения экстремальных задач. Виды параметров оптимизации и требования к ним. Обобщенный параметр оптимизации.

Факторы и требования предъявляемые к ним. Факторы и требования предъявляемые к ним. Управляемость и совместимость, независимость и некоррелированность факторов.

Выбор вида модели и поверхность отклика. Выбор вида модели и поверхность отклика. Выбор интервала, шага и единицы варьирования факторов. Полиномиальная форма аппроксимации. Уравнение регрессии и его коэффициенты.

Композиционные и некомпозиционные планы. Планы для изучения поверхности отклика и методы их построения. Звездные и центральные точки композиционных планов. Неполные факторные эксперименты некомпозиционных планов.

Полный факторный эксперимент. Постановка задачи выбор параметров и факторов. Определение экспериментальной области факторного пространства. Матрица планирования эксперимента и способы ее построения.

Дробный факторный эксперимент. Дробный факторный эксперимент. Минимизация числа опытов. Регулярные дробные реплики, определяющие контрасты и генерирующие соотношения.

Свойства полного и дробного факторных экспериментов. Линейные эффекты и эффекты парного взаимодействия. Свойства полного факторного эксперимента. Свойства дробного факторного экспериментов. Рототабельность.

Проведение эксперимента и анализ полученных данных. Правила реализации экспериментального плана и принцип рандомизации.

Обработка результатов эксперимента. Обработка результатов эксперимента, корреляционный и регрессионный анализ, метод наименьших квадратов.

Расчет коэффициентов зависимости и проверка их статистической значимости. Расчет коэффициентов модели и проверка их статистической значимости. Проверка адекватности модели. Интерпретация результатов.

Этапы разработки математических зависимостей описания реального процесса. Постановка задачи. Отбор факторов и параметров. Анализ априорной информации и выбор вида зависимости. Отсеивающий эксперимент. Планирование основного эксперимента. Реализация экспериментального плана и обработка результатов опытов.

Выбор вида зависимости и планирование эксперимента. Задачи оптимизации и математическое описание влияния каждого фактора на функцию оптимизации. Поверхность отклика и оптимум функции. Целевая функция оптимизации и планирование эксперимента.

Проведение эксперимента и обработка результатов опытов. Статистический анализ и оценка точности эксперимента. Первичная и вторичная обработка. Подбор формул по опытным данным. Обсуждение результатов эксперимента.

Патентные исследования как инструмент обеспечения конкурентоспособности, патентной охраны и условий беспрепятственной реализации товаров. Содержание и порядок проведения патентных исследований в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96. Понятие патентных исследований в соответствии с ГОСТ. Особенности использования патентной информации при проведении патентных исследований. Создание информационной базы для проведения патентных исследований. Регламент поиска и его особенности в зависимости от цели исследований и этапа разработки. Содержание патентных исследований и порядок их проведения. Задачи, решаемые при проведении патентных исследований. Порядок выполнения патентных исследований.


Раздел III.


План эссе:

    1. Вступление – один абзац.

Цель вступления в эссе – привлечь внимание читающих, конкретизировать проблему.

    1. Основная часть – два-три абзаца.

Цель основной части – формулирование мнения абитуриента по проблеме, предъявление и аргументация авторской позиций.

    1. Заключение – один абзац.

Цель заключения – представить, какие действия абитуриент готов предпринять по решению проблемы.


Примерные вопросы эссе:

  1. Современные тенденции в развитии нанотехнологий в России и за рубежом.

  2. Роль научных исследований в развитии нанотехнологий в России и за рубежом.

  3. Мои основные карьерные цели. Как обучение в магистратуре поможет мне достичь их.

  4. Магистратура и развитие моей профессиональной карьеры.

  5. Магистратура в России.


Рекомендуемая литература


Основная


  1. Раков, Э.Г. Нанотрубки и фуллерены: учебное пособие / Э.Г. Раков. – М.: Университетская книга, 2006. – 376 с.

  2. Мищенко, С.В. Углеродные наноматериалы. Производство, свойства, применение / С.В. Мищенко, А.Г. Ткачев. – М.: Машиностроение, 2008. – 320 с.: ил.

  3. Головин, Ю.И. Введение в нанотехнологию: учебное пособие / Ю.И. Головин. – М.: Машиностроение-1, 2003. – 112 с.

  4. Пул, Ч. Нанотехнологии: учеб. пособие для вузов / Ч. Пул, Ф. Оуэнс; пер. с англ. под. ред. Ю.И. Головина. – 2-е изд., доп. – М.: Техносфера, 2005. – 336 с.

  5. Астапенко, В.А. Взаимодействие излучения с атомами и наночастицами: учебное пособие / В.А. Астапенко. – Долгопрудный: ИД Интеллект, 2010. – 496 с.

  6. Соколов, М.В. Оптимизация режимных и конструктивных параметров технологического оборудования: метод. указания / М.В. Соколов, А.С. Клинков, П.С. Беляев. – Тамбов: ТГТУ, 2005. – 32 с.

  7. Поникаров, И.И. Машины и аппараты химических производств и нефтегазопереработки: учебник для вузов / И.И. Поникаров, М.Г. Гайнуллин. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Альфа-М, 2006. – 608 с.: ил.

  8. Поникаров, И.И. Расчеты машин и аппаратов химических производств и нефтегазопереработки (примеры и задачи): учебное пособие для вузов / И.И. Поникаров, С.И. Поникаров, С.В. Рачковский. – М.: Альфа-М, 2008. – 720 с.: ил.

  9. Поникаров, И.И. Конструирование и расчет элементов химического оборудования: учебник для вузов / И.И. Поникаров, С.И. Поникаров. – М.: Альфа-М, 2010. – 382 с.: ил.

  10. Технологические машины и оборудование [Электронный ресурс]: учеб. пособие / А.А. Баранов и др. – Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2008. – 88 с. – Загл. с экрана. – Режим доступа: http://window.edu.ru/

  11. Рогов, В.А. Методика и практика технических экспериментов: учебное пособие для вузов / В.А. Рогов, Г.Г. Поздняк. – М.: Академия, 2005. – 288 с.

  12. Старовиков, М.И. Введение в экспериментальную физику [Электронный ресурс]: учебное пособие / М.И. Старовиков. – СПб.: Лань, 2008. – 240 с. – Загл. с экрана. – Режим доступа: http://e.lanbook.com/

  13. Балдин, К.В. Общая теория статистики [Электронный ресурс]: Учебное пособие / К.В. Балдин, А.В. Рукосуев. – М.: Дашков и К, 2010. – 312 с. – Загл. с экрана. – Режим доступа: http://e.lanbook.com

  14. Сергеев, А.П. Право интеллектуальной собственности в Российской Федерации: учебник / А.П. Сергеев. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Проспект, 2001. – 752 с.


Дополнительная


  1. Large-Scale Production of Single-Walled Carbon Nanotubes Using Ultrafast Pulses from a Free Electron Laser / P.C. Eklund [и др.] // Nano Letters. – 2002. – V. 2, I. 6. – P. 561-566.

  2. Production of high-density single-walled nanotube material by a simple laser-ablation method / W. K. Maser [и др.] // Chemical Physics Letters. – 1998. – V. 292. – I. 4,5,6. – P. 587-593.

  3. A novel CW laser-powder method of carbon single-wall nanotubes production / A. P. Bolshakov [и др.] // Diamond and Related Materials. – 2002. – V. 11, I. 3-6. – P. 927-930.

  4. Resasco, D.E. Decomposition of Carbon-Containing Compounds on Solid Catalysts for Single-Walled Nanotube Production / D.E. Resasco, J.E. Herrera, L. Balzano // Journal of nanoscience and nanotechnology. – 2004. – V. 4, № 4. – P. 1-10.

  5. Controlled production of single-wall carbon nanotubes by catalytic decomposition of CO on bimetallic Co-Mo catalysts / B. Kitiyanan [и др.] // Chemical Physics Letters. – 2000. – V. 317. – P. 497-503.

  6. Fonseca, A. Synthesis of single- and multi-wall carbon nanotubes over supported catalysts / A. Fonseca и др. // Applied Physics A: Materials Science & Processing, - 1998. – V. 72, I. 7. – P. 75-78.

  7. Chen, P. Growth of carbon nanotubes by catalytic decomposition of CH4 or CO on a Ni-MgO catalyst / P. Chen и др. // Carbon. – 1997. – V. 35, I. 10-11. – P. 1495-1501.

  8. Qin, L.C. Growing carbon nanotubes by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition /L.C. Qin и др. // Appl. Phys. Lett. – 1998. – V. 72, I. 26. – P. 3437-3439.

  9. Kong, J. Synthesis of individual single-walled carbon nanotubes on patterned silicon wafers / J. Kong и др. // Carbon. – 1998. – V. 395, N. 6705. – P. 878-881.

  10. Гуртов, В.А. Приоритеты экономического развития субъектов Российской Федерации [Электронный ресурс] / В.А. Гуртов [и др.]. – М.: Изд-во "Кучково поле", 2005. – 496 с. – Загл. с экрана. – Режим доступа: http://window.edu.ru/

  11. Рынок нанотехнологий: состояние и перспективы [Электронный ресурс]. Учебное пособие / Под общей редакцией ЭСНЛ-2008 УМНИЦ "Соколиная Гора". – М.: МИРЭА – Икар, 2008. – 100 с. – Загл. с экрана. – Режим доступа: http://window.edu.ru/

  12. Иванов, Ю.М. Наукоемкие технологии в России. История и современность / Ю.М. Иванов // Науковедческие исследования. – 2004. – С. 130-182. – Режим доступа: http://elibrary.ru/

  13. Кузык Б.Н. Россия – 2050: стратегия инновационного прорыва / Б. Н. Кузык, Ю. В. Яковец. – М.: Экономика, 2004. – 6 32 с.

  14. Экономическое развитие современной России: монография / Рос. гос. гуманитар. ун-т. Каф. эконом. теорий; под ред. Н.В. Яремчука. – М.: Премьера, 2005. – 328 с.

  15. Покидченко, М.Г. Пути развития экономики России: теория и практика: учебное пособие для вузов / М.Г. Покидченко, Л.Н. Сперанская, Т.А. Дробышевская. – М.: ИНФРА-М, 2005. – 312 с.

  16. Тимонин, А.С. Основы конструирования и расчета химико-технологического и природоохранного оборудования: справочник: учебное пособие. / А.С. Тимонин. – 3-е изд., исправ. – Калуга: Изд-во Н. Бочкаревой, 2006. Т. 1, 2, 3.

  17. Килимник, А.Б. Химическое сопротивление материалов и защита от коррозии [Электронный ресурс]: учеб. пособие / А.Б. Килимник, И.В. Гладышева. – Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2008. – 80 с. – Загл. с экрана. – Режим доступа: http://window.edu.ru/

  18. Проектирование и конструирование в машиностроении: учебное пособие для вузов: в 2 ч. Ч. 1: Общие методы проектирования и расчета. Надежность техники / В.П. Бахарев, М.Ю. Куликов, И.И. Бортников, А. Г. Схиртладзе; под ред. А. Г. Схиртладзе. – Старый Оскол: ООО "ТНТ", 2008. – 248 с.

  19. Проектирование и конструирование в машиностроении: учебное пособие для вузов: в 2 ч. Ч. 2: Моделирование и прогнозирование развития технических систем машиностроения / В.П. Бахарев, А.П. Дубинин, А.Г. Схиртладзе; под ред. А.Г. Схиртладзе. – Старый Оскол: ООО "ТНТ", 2009. – 196 с.

  20. Грачев, Ю.П. Математические методы планирования экспериментов: учебное пособие для вузов / Ю.П. Грачев, Ю.М. Плаксин. – М.: ДеЛи принт, 2005. – 296 с.

  21. Пергамент, М.И. Методы исследований в экспериментальной физике: учебное пособие для вузов / М.И. Пергамент. – Долгопрудный: ИД Интеллект, 2010. – 304 с.

  22. Грановский, В.А. Методы обработки экспериментальных данных при измерениях / В.А. Грановский, Т.Н. Сирая. – Л.: Энергоатомиздат, 1990. – 287 с.: ил.

  23. Ланкин, М.В. Рабочая тетрадь по курсу "Планирование и математическая обработка измерительного эксперимента" / М.В. Ланкин, А.А. Пжилуский; Юж.-Рос. гос. техн. ун-т. – Новочеркасск: ЮРГТУ, 2002. – 22 с.

  24. Поликарпов, В.М. Современные методы компьютерной обработки экспериментальных данных / В.М. Поликарпов, И.В. Ушаков, Ю.М. Головин. – Тамбов: ТГТУ, 2006. – 84 с.

  25. Сергеев, А.П. Патентное право: учеб. пособие для юрид. вузов / А.П. Сергеев. – М.: БЕК, 1994. – 202 с.

  26. Бромберг, Г.В. Основы патентного дела: Учебное пособие / Г.В. Бромберг. – 2-е изд., испр. и доп. – М.: Экзамен, 2002. – 224 с.

  27. Патентоведение: учебник для втузов / Е.И. Артемьев, М.М. Богуславский, Р.П. Вчерашний [и др.]; под ред. В.А. Рясенцева. – М.: Машиностроение, 1984. – 351с.: ил.



Похожие:

Программа вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки iconПрограмма вступительного испытания в 2012 году по направлению 190600. 68
Вступительные испытания проводятся в виде итогового комплексного междисциплинарного экзамена по направлению подготовки магистра
Программа вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки iconПрограмма вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки
Ученым советом высшего учебного заведения и доводятся до сведения бакалавров не позднее чем за полгода до начала вступительного экзамена....
Программа вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки iconПрограмма вступительного испытания по дисциплине «Обществознание»
Программа вступительного испытания по дисциплине «Обществознание» для поступающих на обучение по направлению впо 080200. 62 «Менеджмент»...
Программа вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки iconПрограмма вступительного испытания для поступающих в магистратуру по направлению подготовки 250100 Лесное дело магистерская программа «Лесная экология и охрана природы»
Содержание программы вступительного испытания по направлению подготовки 250100 Лесное дело
Программа вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки iconПрограмма и правила проведения вступительного испытания для абитуриентов, поступающих в магистратуру по направлению подготовки
Собеседование с абитуриентами оценивается по 100-балльной шкале. Минимальное количество баллов, подтверждающее успешное прохождение...
Программа вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки iconПрограмма вступительного экзамена в магистратуру
Экзамен в качестве вступительного испытания проводится для лиц, поступающих по направлению подготовки магистра, соответствующему...
Программа вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки iconПрограмма вступительного испытания для поступающих в магистратуру по направлению подготовки 240100 Химическая технология и биотехнология
Содержание программы вступительного испытания по направлению подготовки 240100 «Химическая технология и биотехнология»
Программа вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки iconПрограмма и правила проведения вступительного испытания для абитуриентов, поступающих в магистратуру по направлению подготовки «Биология»
Собеседование с абитуриентами оценивается по 100-балльной шкале. Минимальное количество баллов, подтверждающее успешное прохождение...
Программа вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки iconПрограмма и правила проведения вступительного испытания для абитуриентов, поступающих в магистратуру по направлению подготовки
Поступающие в магистратуру проходят вступительные испытания по направлению 520100 Культурология (собеседование, экзамен)
Программа вступительного испытания в 2012 году по направлению подготовки iconПрограмма и правила проведения вступительного испытания для абитуриентов, поступающих в магистратуру по направлению подготовки
Собеседование с абитуриентами оценивается по 100-балльной шкале. Минимальное количество баллов, подтверждающее успешное прохождение...
Разместите кнопку на своём сайте:
Библиотека


База данных защищена авторским правом ©lib.znate.ru 2014
обратиться к администрации
Библиотека
Главная страница