Федеральная целевая программа




НазваниеФедеральная целевая программа
страница9/14
Дата22.09.2012
Размер2.63 Mb.
ТипПрограмма
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14

IV. Обоснование ресурсного обеспечения Программы


Расходы на реализацию мероприятий Программы составляют 187000 млн.рублей, в том числе:


за счет средств федерального бюджета - 110000 млн.рублей, из них:


на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 66000 млн.рублей;


на капитальные вложения - 44000 млн.рублей;


за счет средств внебюджетных источников - 77000 млн.рублей.


Ресурсное обеспечение Программы предусматривает привлечение средств федерального бюджета и внебюджетных источников.


Объем финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по всем направлениям Программы за счет внебюджетных источников составляет не менее 33000 млн.рублей.


Средствами внебюджетных источников являются средства организаций - исполнителей работ и привлеченные средства (кредиты банков, заемные средства, средства потенциальных потребителей технологий и средства, полученные от эмиссии акций).


Капитальные вложения направляются на создание и освоение перспективных технологических процессов изготовления электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры, развитие производств нового технологического уровня, обеспечивающих ускоренное наращивание объемов производства конкурентоспособной продукции. Для реализации проектов, связанных с техническим перевооружением, организации привлекают внебюджетные средства в объеме государственных капитальных вложений. Замещение средств внебюджетных источников, привлекаемых для выполнения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и работ по реконструкции и техническому перевооружению организаций, средствами федерального бюджета не допускается.


Распределение объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам Программы приведено в приложении N 3.


Объемы финансирования Программы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников приведены в приложении N 4.


V. Механизм реализации Программы


Абзац исключен постановлением Правительства Российской Федерации от 25 февраля 2009 года N 168. - См. предыдущую редакцию.


Абзац исключен постановлением Правительства Российской Федерации от 25 февраля 2009 года N 168. - См. предыдущую редакцию.


Программа имеет межотраслевой характер и отвечает интересам развития большинства отраслей промышленности, производящих и потребляющих высокотехнологичную наукоемкую продукцию.


Управление реализацией Программы будет осуществляться в соответствии с Порядком разработки и реализации федеральных целевых программ и межгосударственных целевых программ, в осуществлении которых участвует Российская Федерация, утвержденным постановлением Правительства Российской Федерации от 26 июня 1995 г. N 594, и положением об управлении реализацией программ, утверждаемым Министерством промышленности и торговли Российской Федерации (абзац в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 25 февраля 2009 года N 168 - см. предыдущую редакцию).


Для осуществления контроля за выполнением работ создается научно-технический координационный совет, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты страны в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники, представители государственных заказчиков Программы, а также организаций промышленности, использующих разрабатываемые в рамках Программы изделия электронной техники и технологии для создания и производства радиоэлектронных и радиотехнических систем.


Координационный совет будет вырабатывать рекомендации по планируемым научно-исследовательским и опытно-конструкторским работам, а также проводить экспертную оценку инвестиционных проектов.


Для осуществления текущего контроля и анализа хода выполнения работ в рамках Программы, подготовки материалов и рекомендаций по управлению реализацией Программы создается автоматизированная информационно-аналитическая система.


Головные исполнители (исполнители) мероприятий Программы определяются в соответствии с законодательством Российской Федерации.


Головные исполнители в соответствии с государственным контрактом обеспечивают выполнение проектов, необходимых для реализации мероприятий Программы, организуют деятельность соисполнителей.


Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию и Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" ежегодно представляют в Министерство промышленности и торговли Российской Федерации отчеты о результатах выполнения работ за прошедший год и предложения по формированию плана работ на следующий год (абзац в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 25 февраля 2009 года N 168 - см. предыдущую редакцию).


Министерство промышленности и торговли Российской Федерации в установленном порядке представляет в Министерство экономического развития Российской Федерации и Министерство финансов Российской Федерации отчет о выполнении годовых планов и Программы в целом, подготавливает и согласовывает предложения по финансированию Программы в предстоящем году (абзац в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 25 февраля 2009 года N 168 - см. предыдущую редакцию).


VI. Оценка социально-экономической и экологической

эффективности Программы


За начальный год расчетного периода принимается 1-й год осуществления инвестиций - 2008 год.


Конечным годом расчетного периода считается год полного освоения в серийном производстве разработанной за время реализации Программы продукции на созданных в этот период мощностях.


С учетом того что обновление производственных мощностей осуществляется в течение всего срока реализации Программы и завершается в 2015 году, а нормативный срок освоения введенных мощностей составляет 1,5-2 года, конечным годом расчетного периода принят 2017 год.


Экономическая эффективность реализации Программы характеризуется следующими показателями:


налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды, - 198577,2 млн.рублей;


чистый дисконтированный доход - 64374,4 млн.рублей;


бюджетный эффект - 125045,9 млн.рублей.


Индекс доходности (рентабельность) составит:


для всех инвестиций - 1,52;


для бюджетных ассигнований - 2,7.


Уровень безубыточности равен 0,68 при норме 0,7, что свидетельствует об эффективности и устойчивости Программы к возможным изменениям условий ее реализации.


Расчет показателей социально-экономической эффективности реализации Программы приведен в приложении N 5. Методика оценки социально-экономической эффективности реализации Программы приведена в приложении N 6.


Социальная эффективность реализации Программы обусловлена количеством создаваемых рабочих мест (6500-7000 мест на дату завершения Программы), а также существенным повышением технологического уровня новой электронной компонентной базы, который обеспечит снижение трудовых затрат на создание радиоэлектронной аппаратуры нового класса и систем и улучшение условий труда. Разработка электронной компонентной базы нового класса и изделий радиоэлектроники обеспечит создание широкой номенклатуры аппаратуры и систем для технического обеспечения решения государственных социальных программ.


Экологическая эффективность реализации Программы выражается:


в разработке и освоении экологически чистых технологий производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники в процессе их производства;


в создании новых видов химической обработки на базе плазмохимических процессов, позволяющих исключить использование кислот и органических растворителей, а также экологически чистых технологий нанесения электролитических покрытий по замкнутому циклу, утилизации и нейтрализации отходов непосредственно в технологическом цикле;


в применении технологий бессвинцовой сборки и монтажа радиоэлектронной аппаратуры, полупроводниковых приборов и специализированных больших интегрированных схем;


в использовании высокоэффективных методов подготовки чистых сред и сверхчистых реактивов в замкнутых циклах, применении систем экологического мониторинга окружающей территории для производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники, кластерных технологических систем обработки структур и приборов в технологических объемах малой величины с непосредственной подачей реагентов контролируемого минимального количества;


в разработке технологий утилизации электронной компонентной базы, радиоэлектронной аппаратуры в рамках развиваемых технологий поддержания жизненного цикла.


Новые виды электронной компонентной базы (высокочувствительные датчики, сенсоры) и радиоэлектронной аппаратуры контроля и охранных систем, а также аппаратура, созданная на их основе, будут использованы при создании более эффективных систем экологического контроля и мониторинга, раннего предупреждения аварий и техногенных катастроф.


Радиоэлектронная промышленность является самой экологически чистой отраслью экономики, и положительные результаты, полученные вследствие улучшения экологической обстановки при совершенствовании производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники, могут использоваться в других отраслях (методы ультрафильтрации, технологии улавливания и нейтрализации вредных веществ, обработки по замкнутым циклам, получения сверхчистой воды и сверхчистых реактивов, экологически чистые методы утилизации отработанной аппаратуры).


Приложение N 1

к федеральной целевой программе

"Развитие электронной компонентной базы

и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы


ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ

реализации мероприятий федеральной целевой программы

"Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники"

на 2008 - 2015 годы

(с изменениями на 25 февраля 2009 года)


Единица измерения 2007 год 2008 год 2009 год 2010 год 2011 год 2015 год мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,1-0,09 0,045 млрд. рублей 19 58 70 95 130 300 -3-5 16-20 80-90 125-135 179-185 260-270 --6 8 14 27 35 --2 2 2 4 7 -----1 4 ------11 --1 1 2 2 7 -1 1 5 10 23 89 ------11 -----1 9 ------8 -1 3 9 15-17 18-21 32-37 -4 11-12 16-20 22-25 36-40 55-60 -450 1020-1050 1800-2200 3000-3800 3800-4100 5000-6000


Приложение N 2

к федеральной целевой программе

"Развитие электронной компонентной базы

и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы


ПЕРЕЧЕНЬ

мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной

компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(с изменениями на 25 февраля 2009 года)


В том числе Ожидаемые результаты 2008 год 2009 год 2010 год 2011

год 2012-2015 годы 207

138 147

98 60

40 создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы АВ для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

265

175 60

40 120

79 85

56 создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемопередающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы АВ для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

314

210 214

143 100

67 --создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации

(2009 год)

770

512 136

90 337

225 297

197 создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии

237

151 166

111 71

40 создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

532

352 100

64 246

164 186

124 создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

111

81 76

51 35

30 разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии

207

142 40

30 100

67 67

45 создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

120

80 60

40 60

40 создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

153

102 89

60 64

42 создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

124

85 74

52 50

33 создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

150

97 45

30 60

40 45

27 создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов

93

62 60

32 33

30 создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

96

62 53

35 43

27 создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

170

116 95

70 75

46 создание конструктивно-параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры,

разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

87

57 45

27 42

30 разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании 104

69 54

36 50

33 создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 141

95 89

60 52

35 разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 85

57 45

30 40

27 создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

85

57 45

30 40

27 создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

156

104 86

57 70

47 создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

2670

1780 375

250 420

280 450

300 525

350 900

600 создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку:


конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год);


мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год);


малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)

1785

1190 150

100 300

200 300

200 135

90 900

600 создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая:


создание гетеропереходных полевых транзисторов с диодом Шоттки с удельной мощностью до 30-40 Вт/мм и рабочими напряжениями до 100 В;


исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год);


разработка технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)

1080

720 1080

720 исследование технологических принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц

1050

700 1050

700 создание полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе 10791

7194

1545

1030 1722

1148 1930,5

1327 1603,5

1069 3930

2620

151

100,8 71

47,4 80

53,4 создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)

315,4

210,3 59,4

39,6 256

170,7 создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2011 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы

155

103,4 71

47,4 84

56 создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм (2009 год)


360,1

240 81,5

54,3 278,6

185,7 создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм


174

116 98

65,3 76

50,7 создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2009 год)


261

174,2 56

37,3 205

136,9 создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2011 год)140,8

93,9

83,2

55,4

57,6

38,5

разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения

374

249,5

74,5

49,8

299,5

199,7

создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2011 год)

152,6

98,4 80,6

50,4 72

48 разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год)

81,2

57,5 33,2

25,5 48

32 создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

251

167,3 61,1

40,7 189,9

126,6 разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний

975

650 975

650 создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год)

975

600 975

600 разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанотриодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования

951

634 951

634 разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний

975

650 975

650 создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)

6293

4195,3

437,1

291,4 417,6

278,6 332,5

221,7 1229,4

819,6 3876

2584 209

105 112

75 97

30 создание базовых технологий (2009 год) и комплектов технологической документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов

424

277 -75

60 228

141 121

76 разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике

155

100 110

70 45

30 создание базовых технологий (2009 год) и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники

418

280 71

60 225

143 122

77 разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин - микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов

55

38 55

38 создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов

224

164 64

30 102

86 58

48 создание базовых конструкций микроаналитических систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники;


разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах

94

71 59

41 35

30 создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2009 год)

208

145 35

30 112

75 61

40 разработка базовых конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения

55

38 55

38 создание базовых технологий изготовления микросистем анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год)

214

137 54

30 104

69 56

38 разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях

77

61 45

31 32

30 разработка и освоение в производстве базовых технологий изготовления радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год)

166

119 32

30 87

58 47

31 разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий

40

24 40

24 создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии

1155

770 1155

770 создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения (2012 год), акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год)

1155

770 1155

770 создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии

1170

780 1170

780 создание перспективных технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым,

химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год)

5818,5

3879 475,5

317

540

360 858

572 465

310 3480

2320 270

125,6 148,9

76,6 121,1

49 разработка комплекта нормативно-технической документации по проектированию изделий микроэлектроники, создание отраслевой базы данных с каталогами библиотечных элементов и сложнофункциональных блоков с каталогизированными результатами аттестации на физическом уровне, разработка комплекта нормативно-технической и технологической документации по взаимодействию центров проектирования в сетевом режиме


34

22,7 22

14,7 12

8 разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров проектирования и центра изготовления фотошаблонов

766,9

466,8 336,7

180 430,2

286,8 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства 1801,6

1200,9 799,8

533,1 1001,8

667,8 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства 462,4

308,3 252,4

168,3 210

140 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической документации и ввод в эксплуатацию производственной линии

894,8

596,2

146,3

97,3 748,5

498,9 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии

494,2

294,2 211,1

105,6 166,4

110,9 116,7

77,7 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации,

ввод в эксплуатацию производственной линии

173

173 68

68 105

105 разработка технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию специализированных участков 227

227 132

132 95

95 разработка комплектов документации, включая утвержденные отраслевые методики, ввод в эксплуатацию модернизированных участков и лабораторий анализа отказов 1200

800 1200

800 разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,045 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) (2014 год). Создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования сверхбольших интегральных схем;


создание базовой технологии формирования многослойной разводки (7-8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров

1425

950 1425

950 создание технологии сверхбольших интегральных схем технологических уровней 65-32 нм, организация опытного производства (2015 год)

1425

950 1425

950 создание технологий и конструкций перспективных изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения;

создание встроенных интегральных источников питания (2013-2015 годы)

1650

1100 1650

1100 разработка перспективной технологии многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей (2015 год)11222

7214,7

993,4

639,6 1236,4

789,4 1151

741,3 1913,6

1244,4 5927,5

3800

78

49 51

32 27

17 внедрение новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза с повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов

131

87 77

51 54

36 создание технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений А
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14

Похожие:

Федеральная целевая программа iconУчебное пособие Петрозаводск «Карелия» 2002 Федеральная целевая программа «Культура России»
Федеральная целевая программа «Культура России» (подпрограмма «Поддержка полиграфии и книгоиздания России»)
Федеральная целевая программа iconКомпьютерные технологии в науке и образовании история информатики и информатизации. Развитие информатизации в России Федеральная целевая
Развитие информатизации в России (Федеральная целевая программа «Электронная Россия»)
Федеральная целевая программа iconФедеральная целевая программа
Утвердить прилагаемую Федеральную целевую программу развития образования на 2011 2015 годы (далее Программа)
Федеральная целевая программа iconФедеральная целевая программа
Утвердить прилагаемую федеральную целевую программу "Пожарная безопасность в Российской Федерации на период до 2012 года" (далее...
Федеральная целевая программа iconПрограмма информатизации моу «Средняя школа №6» г. Когалым
Федеральная целевая программа «Развитие единой образовательной информационной среды (2001-2005 годы)»
Федеральная целевая программа iconФедеральная целевая программа
Утвердить прилагаемую федеральную целевую программу "Пожарная безопасность в Российской Федерации на период до 2012 года" (далее...
Федеральная целевая программа iconР. Докинз Перевод с английского Н. О. Фоминой
Редакция литературы по биологии Федеральная целевая программа книгоиздания России
Федеральная целевая программа iconФедеральная целевая программа
Утвердить прилагаемую федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы...
Федеральная целевая программа iconПрограмма развития школы на 2007-2012 г. «Адаптивная школа»
Федеральная целевая программа «Развитие единой образовательной информационной среды» 2001-2005г утвержденной постановлением Правительства...
Федеральная целевая программа iconФедеральная целевая программа сохранение и развитие архитектуры
В целях сохранения памятников истории и культуры, своеобразия архитектурного облика
Разместите кнопку на своём сайте:
Библиотека


База данных защищена авторским правом ©lib.znate.ru 2014
обратиться к администрации
Библиотека
Главная страница