Федеральная целевая программа




НазваниеФедеральная целевая программа
страница3/14
Дата22.09.2012
Размер2.63 Mb.
ТипПрограмма
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14
В


Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемопередающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетеро-эпитаксиальных структур

Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний - германий"Разработка базовых технологий проектирования кремний-германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков

Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X- , C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов

Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов Разработка конструктивно-параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства

Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения

Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования


Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастотных устройств


Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастотных устройств на базе нитрида галлия


Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления


Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложнофункциональной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы


Всего по направлению 1 Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно-функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм

Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно-функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм

Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы

Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-независимых радиационно стойких комплементарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса

Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире


Разработка базовой технологии и приборно-технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов

Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы

Разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков для создания радиационно стойких сверхбольших интегральных схем Разработка расширенного ряда радиационно стойких сверхбольших интегральных схем для специальной аппаратуры связи, обработки и передачи информации, систем управления


Разработка и совершенствование методов моделирования и проектирования радиационно стойкой элементной базы

Разработка и совершенствование базовых технологий и конструкций радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" с топологическими нормами не менее 0,18 мкм Всего по направлению 2 Направление 3. Микросистемная техника

Разработка базовых технологий микро-электромеханических систем


Разработка базовых конструкций микроэлектромеханических систем Разработка базовых технологий микроакустоэлектромеханических систем


Разработка базовых конструкций микроакустоэлектромеханических систем Разработка базовых технологий микроаналитических систем

Разработка базовых конструкций микроаналитических систем Разработка базовых технологий микрооптоэлектромеханических систем

Разработка базовых конструкций микрооптоэлектромеханических систем Разработка базовых технологий микросистем анализа магнитных полей


Разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных полей Разработка базовых технологий радиочастотных микроэлектромеханических систем


Разработка базовых конструкций радиочастотных микроэлектромеханических систем Разработка методов и средств обеспечения создания и производства изделий микросистемной техники Разработка перспективных технологий и конструкций микрооптоэлектромеханических систем для оптической аппаратуры, систем отображения изображений, научных исследований и специальной техники


Разработка и совершенствование методов и средств контроля, испытаний и аттестации изделий микросистемотехники


Разработка перспективных технологий и конструкций микро-

аналитических систем для аппаратуры контроля и обнаружения токсичных, горючих, взрывчатых и наркотических веществ


Всего по направлению 3


Направление 4. Микроэлектроника

Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники:


разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и "системы на кристалле" на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования;

освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм

Разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,13 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного)

Разработка семейств и серий изделий микроэлектроники:


универсальных микропроцессоров для встроенных применений;


универсальных микропроцессоров для серверов и рабочих станций;


цифровых процессоров обработки сигналов;


сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем;


сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти;


микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью;

схем интерфейса дискретного ввода/вывода;


схем аналогового интерфейса;


цифроаналоговых и аналого- цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит;

схем приемопередатчиков шинных интерфейсов;


изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения;


встроенных интегральных источников питания

Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники:


цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14-16 бит;


микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров;


сенсоров на основе магнито-электрических и пьезоматериалов;


встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц,

10-12 ГГц;


систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов

Разработка технологии и освоение производства изделий микроэлектроники с технологическим уровнем 0,13 мкм

Разработка базовой технологии формирования многослойной разводки (7-8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu Разработка технологии и организация производства многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей

Разработка новых методов технологических испытаний изделий микроэлектроники, гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов

Разработка современных методов анализа отказов изделий микроэлектроники с применением ультраразрешающих методов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и другие)

Разработка базовых субмикронных технологий уровней 0,065-0,045 мкм

Исследование технологических процессов и структур для субмикронных технологий уровней 0,032 мкм

Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники для применения в аппаратуре бытового и промышленного применения, на транспорте, в топливно-энергетическом комплексе и в специальных системах

Разработка перспективных технологий сборки сверхбольших интегральных схем в многовыводные корпуса, в том числе корпуса с матричным расположением выводов и технологий многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе"

Всего по направлению 4


Разработка технологии производства новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений АВ для мощных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем

Разработка базовой технологии производства метаморфных структур на основе GaAs и псевдоморфных структур на подложках InP для приборов сверхвысокочастотной электроники диапазона 60-90 ГГц

Разработка технологии производства спинэлектронных магнитных материалов, радиопоглощающих и мелкодисперсных ферритовых материалов для сверхвысокочастотных приборов

Разработка технологии производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для обеспечения производства полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе

Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысокочастотных приборов Исследование путей и разработка технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, а также полупроводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника

Разработка технологии выращивания слоев пьезокерамики на кремниевых подложках для формирования комплексированных устройств микросистемной техники Разработка методологии и базовых технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием "жертвенных" и "стопорных" диффузионных и диэлектрических слоев для производства силовых приборов и элементов микроэлектромеханических систем Разработка базовых технологий получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий с широким диапазоном функциональных свойств Исследование и разработка технологии роста эпитаксиальных слоев карбида кремния, структур на основе нитридов, а также формирования изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники

Разработка технологии производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения

Разработка технологии производства высокоомного радиационно облученного кремния, слитков и пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов

Разработка технологии производства кремниевых подложек и структур для силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями р- и n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией

Разработка технологии производства электронного кремния, кремниевых пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии

0,25-0,18 мкм

Разработка методологии, конструктивно-технических решений и перспективной базовой технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами

Разработка технологии производства гетероструктур SiGe для разработки сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25-0,18 мкм

Разработка технологии выращивания и обработки, в том числе плазмохимической, новых пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и акустооптики

Разработка технологий производства соединений А
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14

Похожие:

Федеральная целевая программа iconУчебное пособие Петрозаводск «Карелия» 2002 Федеральная целевая программа «Культура России»
Федеральная целевая программа «Культура России» (подпрограмма «Поддержка полиграфии и книгоиздания России»)
Федеральная целевая программа iconКомпьютерные технологии в науке и образовании история информатики и информатизации. Развитие информатизации в России Федеральная целевая
Развитие информатизации в России (Федеральная целевая программа «Электронная Россия»)
Федеральная целевая программа iconФедеральная целевая программа
Утвердить прилагаемую Федеральную целевую программу развития образования на 2011 2015 годы (далее Программа)
Федеральная целевая программа iconФедеральная целевая программа
Утвердить прилагаемую федеральную целевую программу "Пожарная безопасность в Российской Федерации на период до 2012 года" (далее...
Федеральная целевая программа iconПрограмма информатизации моу «Средняя школа №6» г. Когалым
Федеральная целевая программа «Развитие единой образовательной информационной среды (2001-2005 годы)»
Федеральная целевая программа iconФедеральная целевая программа
Утвердить прилагаемую федеральную целевую программу "Пожарная безопасность в Российской Федерации на период до 2012 года" (далее...
Федеральная целевая программа iconР. Докинз Перевод с английского Н. О. Фоминой
Редакция литературы по биологии Федеральная целевая программа книгоиздания России
Федеральная целевая программа iconФедеральная целевая программа
Утвердить прилагаемую федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы...
Федеральная целевая программа iconПрограмма развития школы на 2007-2012 г. «Адаптивная школа»
Федеральная целевая программа «Развитие единой образовательной информационной среды» 2001-2005г утвержденной постановлением Правительства...
Федеральная целевая программа iconФедеральная целевая программа сохранение и развитие архитектуры
В целях сохранения памятников истории и культуры, своеобразия архитектурного облика
Разместите кнопку на своём сайте:
Библиотека


База данных защищена авторским правом ©lib.znate.ru 2014
обратиться к администрации
Библиотека
Главная страница